[发明专利]一种异形半导体晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 201510240946.X | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN104952701B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王元立;刘文森;刘继斌;古燕;刘英伟 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;王媛 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种异形半导体晶片及其制备方法，其中所述方法包括以下步骤：(1)由一种晶棒切割出晶片；(2)对晶片进行表面研磨加工；(3)将晶片解理成异形晶片；(4)对异形晶片进行磨边处理；(5)对晶片进行粗抛光，然后进行精抛光，其中将异形晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，支撑物无异形晶片的一侧固定至抛光机的上盘，其中所述支撑物为刚性的平板。还任选对精抛后的异形晶片进行表面清洗处理。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 异形 支撑物 半导体晶片 制备 表面研磨加工 表面清洗 磨边处理 成异形 粗抛光 精抛光 抛光机 粘结剂 解理 精抛 上盘 种晶 切割 | ||
【主权项】：
1.一种制备异形半导体晶片的方法，包括以下步骤：(1)由一种晶棒切割出晶片；(2)对晶片进行表面研磨加工；(3)将晶片解理成异形晶片；(4)对异形晶片进行磨边处理；和(5)对晶片进行粗抛光，然后进行精抛光，其中将异形晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，支撑物无异形晶片的一侧固定至抛光机的上盘，其中所述支撑物为刚性的平板，其中，制得晶片的厚度为280‑700微米，表面微粗糙度为0.2‑0.5纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
