[发明专利]半导体器件和相关联的制造方法有效
| 申请号： | 201510240970.3 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105895709B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 提姆·伯切尔;列扎·比塔什;托马斯·伊格尔-霍兹恩多夫;朱林佩 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 麦善勇;张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件，包括主体，所述主体具有：第一表面和相对的第二表面；与第一表面相邻的第一半导体层；有源区域，包括：第一表面中的多个有源沟槽，所述多个有源沟槽从第一表面延伸到第一半导体层中并具有有源沟槽宽度，以及多个有源单元，每个有源单元均设置在与有源沟槽相邻的所述第一半导体层中，所述有源单元具有有源单元宽度；以及位于第一表面外围的端接区域，包括：至少一个端接沟槽，所述至少一个端接沟槽从第一表面延伸到第一半导体层中，其中所述端接区域的宽度大于有源沟槽宽度；以及多个端接沟槽隔层，所述端接沟槽隔层的宽度小于有源单元宽度，其中所述端接区域的宽度大于有源沟槽宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括主体，所述主体具有：第一表面和相对的第二表面；与第一表面相邻的第一半导体层；有源区域，包括：所述第一表面中的多个有源沟槽，所述多个有源沟槽从所述第一表面延伸到所述第一半导体层中并具有有源沟槽宽度，以及多个有源单元，每个有源单元均设置在与有源沟槽相邻的第一半导体层中，所述有源单元具有有源单元宽度；以及位于第一表面外围的端接区域，包括：至少一个端接沟槽，所述至少一个端接沟槽从所述第一表面延伸到所述第一半导体层中，以及多个端接沟槽隔层，所述端接沟槽隔层的宽度小于所述有源单元宽度，且所述端接沟槽隔层的宽度是端接沟槽宽度的十分之一，其中所述端接区域的宽度大于所述有源沟槽宽度，其中所述有源沟槽和所述至少一个端接沟槽均包括与所述主体的第一半导体层相邻的第一绝缘层，以及其中导电材料布置在每个所述有源沟槽内的第一绝缘层上。
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