[发明专利]一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法有效
申请号: | 201510241054.1 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN104835708B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 赵波;王楠;姜国华 | 申请(专利权)人: | 江苏师范大学 |
主分类号: | H01J29/04 | 分类号: | H01J29/04;H01J31/12;H01J1/304 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 221116 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,包括如下步骤在平面衬底上涂敷一层光刻胶;对光刻胶进行图形化,在衬底上暴露需要制备场发射点的区域;镀覆金属薄膜;在金属薄膜上磁场辅助沉降镍纳米颗粒;在真空炉中进行热处理;在样品表面沉积一层氧化石墨烯;除去剩余光刻胶,得到场发射点阵;对场发射点阵进行布线;在样品上方平行放置镀有荧光粉的ITO玻璃片,样品与玻璃用绝缘材料隔开一定距离,制成场发射平板模块;使用单片机和移位寄存器数组成外围电路,实现屏显。本发明制备的平板显示仪的电子源是一种新型的场发射体结构,具有发射电流稳定,驱动电压小以及电子发射效率高等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 石墨 发射 平板 显示 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:步骤一,在衬底上涂覆光刻胶;步骤二,对所述光刻胶进行图形化,使所述衬底上暴露需要制备场发射点的区域;步骤三,镀覆金属薄膜;步骤四,在所述金属薄膜上磁场辅助沉降镍纳米颗粒;步骤五,在真空炉中对步骤四得到的样品进行热处理;步骤六,在步骤五得到的样品表面沉积氧化石墨烯;步骤七,除去样品上剩余的光刻胶,得到场发射点阵;步骤八,对场发射点阵进行布线;步骤九,在步骤八得到的样品上方平行放置镀有荧光粉的ITO玻璃片,样品与所述玻璃片用绝缘材料隔开一定距离,制成场发射平板模块;步骤十,使用单片机和移位寄存器数组成外围电路,结合所述场发射平板模块实现屏显;步骤五中,所述热处理是指:在200℃~600℃的真空或者惰性气体保护气氛中加热5~8小时。
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