[发明专利]基板加工方法和制造液体排出头用基板的方法有效
申请号: | 201510241268.9 | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN105097447B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 加藤雅隆;樋口广志;尾形美尚;南聖子;宇山刚矢;坂井稔康 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 基板加工方法和制造液体排出头用基板的方法。该基板加工方法包括:在硅基板的第一表面形成第一孔,所述第一孔具有未贯通基板的深度;以及以使第二孔与第一孔连通的方式在第二表面形成第二孔,使得在基板中形成由第一孔和第二孔形成的通孔。形成第二孔的方法包括:在使第二孔与第一孔连通之后,通过干蚀刻在第一孔和第二孔之间形成比第一孔的开口宽的连通部。 | ||
搜索关键词: | 加工 方法 制造 液体 出头 用基板 | ||
【主权项】:
1.一种基板加工方法,其包括:在硅基板的第一表面形成第一孔,使得所述第一孔具有未贯通所述硅基板的深度;以及以使第二孔与所述第一孔连通的方式通过执行干蚀刻在第二表面形成所述第二孔,所述第二表面在所述第一表面的相反侧,如此在所述硅基板中形成由所述第一孔和所述第二孔形成的通孔,其中,在形成所述通孔之前,向所述第二孔中引入涂布气体,其特征在于,所述通孔具有如下形状:当在平面中观察所述第二表面时,所述第一孔的开口端的至少一部分存在于所述第二孔内,并且所述第二孔的形成包括在通过所述干蚀刻使所述第二孔与所述第一孔连通之后在所述第一孔和所述第二孔之间形成连通部,所述连通部比所述第一孔的开口宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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