[发明专利]LED外延层结构及其制备方法和具有该结构的LED器件在审
| 申请号： | 201510241303.7 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN104835885A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 苏军;郭嘉杰;戚运东;苗振林 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/22 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 彭程程;沈林华 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延层结构及其制备方法和具有该结构的LED器件，LED外延层结构，包括依序叠置于衬底上的缓冲GaN层、U型GaN层、N型GaN层、MQW层、P型AlGaN层和P型GaN层，MQW层包括周期性依次彼此叠置的InGaN层和GaN层，MQW层最后一个周期中的InGaN层顶面上生长掺Al封顶层，掺Al封顶层为AlGaN层或超晶格形式的AlGaN/GaN层；掺Al封顶层的顶面上生长P型AlGaN层。本发明提供的外延层结构增加该层内局部电阻，增强电流的扩展，来增加MQW区域的发光面积。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 及其 制备 方法 具有 器件 | ||
【主权项】：
一种LED外延层结构，包括依序叠置于衬底上的缓冲GaN层、U型GaN层、N型GaN层、MQW层、P型AlGaN层和P型GaN层，所述MQW层包括至少一个周期的InGaN/GaN层，一个周期的所述InGaN/GaN层包括依次叠置的InGaN层和GaN层，其特征在于，所述MQW层最后一个周期中的所述InGaN层顶面上生长掺Al封顶层，所述掺Al封顶层为AlGaN层或至少一个周期的超晶格形式的AlGaN/GaN层；所述掺Al封顶层的顶面上生长P型AlGaN层。
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