[发明专利]一种利用双面黏性薄膜对衬底进行加工的方法在审
申请号: | 201510241582.7 | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN106298438A | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 王云翔 | 申请(专利权)人: | 苏州美图半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及到半导体微细加工领域,尤其涉及到一种利用双面黏性薄膜对衬底进行加工的方法。本发明中的双面黏性薄膜从上到下依次由PET上膜层、热复合材料薄膜层、聚丙烯膜层、硅胶膜层和PET下膜层共五层组成。本发明所涉及的一种利用双面黏性薄膜对衬底进行加工的方法,该方法利用双面黏性薄膜可以将待加工的衬底紧紧的贴合在支持衬底上,杜绝了黏性不均匀和气泡的产生,提高了衬底加工的精确度和质量,此外,该工艺简单稳定,操作方便可靠,适合推广使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 双面 黏性 薄膜 衬底 进行 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种利用双面黏性薄膜对衬底进行加工的方法,其特征在于其步骤为: (1)所述双面黏性薄膜从上到下依次由PET上膜层(1)、热复合材料薄膜层(2)、聚丙烯膜层(3)、硅胶膜层(4)和PET下膜层(5)共五层组成,首先将双面黏性薄膜放入键合腔体的真空环境中,同时将待加工衬底和支撑衬底也放入键合腔体的真空环境中;(2)在键合腔体的真空环境中将双面黏性薄膜上的PET上膜层(1)去除掉,将待加工衬底紧贴在热复合材料薄膜层(2)上,将双面黏性薄膜上的PET下膜层(5)去除掉,将支撑衬底紧贴在硅胶膜层(4)上;(3)在步骤(2)处理过的双面黏性薄膜的待加工衬底上进行湿法腐蚀或者减薄工艺,按要求对待加工衬底进行加工,使其成为加工好的衬底;(4)将步骤(3)处理过的带加工好衬底的双面黏性薄膜,放入到额定温度的环境中,使热复合材料薄膜层(2)失去粘附力,从而使加工好的衬底从双面黏性薄膜中单独脱离出来,最终得到加工好的衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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