[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及到微流控芯片技术领域，尤其涉及到一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法。本发明所涉及的一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法即能克服硅模具的较脆、使用寿命不长及制备工艺时间较长等缺点，又能克服UV-LIGA工艺制备的金属模具中工艺长、成本高的缺陷。该方法制备聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的工艺简单，成本低，容易操作，而且制备出的聚二甲基硅氧烷多孔薄膜具有高弹性、气体通透性和疏水性，特别适用于微流控芯片中研究；此外，该方法制备出的聚二甲基硅氧烷多孔薄膜上具有微纳米尺度的多孔结构，可以大大提高聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的应用范围。

主权项

一种聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备方法，其特征在于其步骤为：        （1）多孔薄膜模板的制备，首先在硅片上按照需要制备出的多孔薄膜的的形状，先旋涂光刻胶，形成光刻胶薄膜，然后通过带有多孔结构的掩模版进行光刻及后续的显影工艺，显影后用异丙醇清洗，氮气吹干，最后利用刻蚀技术按照光刻痕迹在硅片上根据多孔薄膜的厚度刻蚀，制备好具有微纳图形的多孔薄膜模板备用；（2）聚二甲基硅氧烷填充剂的制备，在聚二甲基硅氧烷中加入固化剂和稀释剂后搅拌均匀后备用，其中二甲基硅氧烷、固化剂和稀释剂的重量比为1:1:1—25:1:1；（3）聚二甲基硅氧烷多孔薄膜的制备，在步骤（1）中制备好具有微纳图形的多孔薄膜模板上盖上具有至少两个孔洞的玻璃盖，其中有一个孔洞连接真空泵，剩余的孔洞连接注射器，注射器内装有步骤（2）搅拌均匀的聚二甲基硅氧烷填充剂，注射器将搅拌均匀的聚二甲基硅氧烷填充剂填充到多孔薄膜模板上，保持真空状态10分钟‑30分钟，在温度为80℃‑150℃的环境中固化1小时‑4小时，然后常温下自然冷却，即制备出聚二甲基硅氧烷多孔薄膜。