[发明专利]一种控制气相二氧化硅分散粒径的方法在审
| 申请号： | 201510241684.9 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN104860324A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 赵剑曦;孙小祥 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制气相二氧化硅分散粒径的方法。将商品气相二氧化硅配制成浓度为4wt%~25wt%的水溶液，在剪切线速度为9.64m/s~27m/s下，剪切1分钟~15分钟；或再在超声功率为9.5W~950W下，超声分散1分钟~15分钟。本发明在商品气相二氧化硅浓度为4wt%~25wt%的前提下，综合利用剪切力、超声力、分散时间、气相二氧化硅浓度等手段，实现了对商品气相二氧化硅的分散以及对粒径的有效控制，气相二氧化硅的分散粒径能控制在130nm~240nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 二氧化硅 分散 粒径 方法 | ||
【主权项】：
一种控制气相二氧化硅分散粒径的方法，其特征在于：将商品气相二氧化硅配制成浓度为4wt%~25wt%的水溶液，在剪切线速度为9.64 m/s~27 m/s下，剪切1分钟~15分钟；或再在超声功率为9.5W~950W下，超声分散1分钟~15分钟；制得分散粒径控制在130nm~240nm的气相二氧化硅。
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