[发明专利]决定刻蚀于晶圆内的接触孔洞的接触边缘粗糙度的方法在审
申请号: | 201510242108.6 | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN106206345A | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 郑清仁 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B15/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用以决定刻蚀于晶圆内的接触孔洞的接触边缘粗糙度的方法、装置、系统与计算机程序产品。根据本发明,提供一种方法包括以下步骤:取得对应于一接触孔洞的图像数据,基于至少部分图像数据决定一孔洞轮廓;孔洞轮廓可用以描述自接触孔洞的参考点至位于预定角度组的每一角度的接触孔洞边缘的距离;基于至少部分孔洞轮廓,决定接触孔洞的理想形状;接触孔洞的理想形状可由预定角度组的每一角度,从理想形状的参考点至理想形状的边缘的距离所描述。基于至少部分接触孔洞轮廓与理想形状,决定接触边缘粗糙度。 | ||
搜索关键词: | 决定 刻蚀 晶圆内 接触 孔洞 边缘 粗糙 方法 | ||
【主权项】:
一种接触孔洞的接触边缘粗糙度的测量方法,包括:取得对应于该接触孔洞的图像数据;基于至少部分该图像数据,决定一孔洞轮廓,该孔洞轮廓被配置用以描述一预定角度组的每一角度,从该接触孔洞的一参考点至该接触孔洞的一边缘的距离;基于至少部分该孔洞轮廓,决定该接触孔洞的理想形状,其中该接触孔洞的理想形状是以该预定角度组的每一角度,从该理想形状的一参考点至该理想形状的一边缘的距离所描述;以及基于至少部分该孔洞轮廓与该理想形状,决定该接触边缘粗糙度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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