[发明专利]一种快速制备高性能CuInTe2基热电材料的新方法在审

专利信息
申请号: 201510242185.1 申请日: 2015-05-12
公开(公告)号: CN104944385A 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 唐新峰;梁涛;马世林;谭晓鸣;刘欢;谢鸿耀;苏贤礼;鄢永高 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种快速制备高性能CuInTe2基热电材料的新方法,包括以下步骤:1)以Cu粉、In粉和Te粉为原料,按化学式Cu1-xInTe2中各元素的化学计量比进行称量,其中0≤x≤0.2,然后将原料粉末研磨混合均匀,然后压制成块状坯体;2)将步骤1)所得块状坯体引发高温自蔓延合成反应,反应完成后自然冷却,得近乎单相的CuInTe2化合物;3)将步骤2)所得产物研磨成粉末,进行放电等离子体活化烧结,得单相高性能的CuInTe2基热电材料。本发明具有反应速度快、工艺简单、高效节能和重复性好等优点,整个制备过程可在15min之内完成,且所得块体热电优值在720K可达0.58。
搜索关键词: 一种 快速 制备 性能 cuinte sub 热电 材料 新方法
【主权项】:
一种快速制备高性能CuInTe2基热电材料的新方法,其特征在于,包括以下步骤:1)以Cu粉、In粉和Te粉为原料,按化学式Cu1‑xInTe2中各元素的化学计量比进行称量,其中0≤x≤0.2,将称量好的原料粉末研磨混合均匀,并压制成块状坯体;2)将步骤1)所得块状坯体引发高温自蔓延合成反应,反应完成后自然冷却,得锭体;3)将步骤2)所得锭体研磨成粉末,进行放电等离子体活化烧结,得到单相的高性能的CuInTe2基热电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学,未经武汉理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510242185.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top