[发明专利]一种硅基非互易器件结构与电控非互易实现方法

摘要

本发明公开了一种硅基非互易器件结构与电控非互易实现方法。本发明的实施方式提供了一种可集成的硅基器件结构，以及通过电控和热调谐的方法实现硅基片上非互易传输的过程。具体地，本发明的实施方式提供了用于光网络的器件和控制方法，通过在电极上施加电压，在某段光波导中产生弱的非互易相移或者幅度，从而在本发明提供的波导结构中产生较为明显的幅度非互易性。本发明所述器件可以利用现有的CMOS工艺完成硅基片上集成，可以和其它光子器件一起集成在硅片上。利用本发明，可以在未来的光网络中的某个节点完成硅基片上光学隔离功能，从而有效地提高光网络的灵活性。

主权项

一种波导结构，包括：硅基直波导，适于连接光学输入和输出端口，并和第一2×2耦合器连接；第一2×2耦合器，适于完成光信号的双向耦合；硅基第一环形波导，适于双向传输光信号，并和第一2×2耦合器一起构成双向传输的环形谐振腔；第二2×2耦合器，适于完成光信号的双向耦合；硅基第二环形波导，适于双向传输光信号，并和第二2×2耦合器一起构成双向反射和透射单元，用来在第一2×2耦合器和硅基第一环形波导构成的环形谐振腔中提供反射和透射的功能；调制电极，适于形成动态光栅，在硅基第一环形波导中产生弱的非互易相移；热电极，适于改变整个谐振结构的谐振波长，完成信号光所在波长和谐振波长的匹配。