[发明专利]双层多晶硅CMOS的制作方法在审

专利信息
申请号: 201510242781.X 申请日: 2015-05-13
公开(公告)号: CN106298658A 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 马万里;任春红 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 张洋,黄健
地址: 100871 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种双层多晶硅CMOS的制作方法,该方法包括:制作器件的场氧化层和栅氧化层;在器件的表面上生长第一多晶硅层,并通过光刻和刻蚀工艺对所述第一多晶硅层进行刻蚀,保留位于场氧化层表面上的部分第一多晶硅层和栅氧化层表面上的部分第一多晶硅层;定义漏极区,并完成漏极离子的注入;在器件的表面上生长介质层;在介质层的表面上生长第二多晶硅层,并通过光刻和刻蚀工艺对第二多晶硅层进行刻蚀;定义源漏区,并完成源漏区的离子注入。本发明提供的双层多晶硅CMOS的制作方法制作工艺简单,且成本较低。
搜索关键词: 双层 多晶 cmos 制作方法
【主权项】:
一种双层多晶硅CMOS的制作方法,其特征在于,包括:制作器件的场氧化层和栅氧化层,所述场氧化层的表面高度高于阱区的表面高度,所述栅氧化层位于器件第一区域的表面上;在所述器件的表面上生长第一多晶硅层,并通过光刻和刻蚀工艺对所述第一多晶硅层进行刻蚀,保留位于所述场氧化层表面上的部分第一多晶硅层和所述栅氧化层表面上的部分第一多晶硅层;定义漏极区,并完成漏极离子的注入;在所述器件的表面上生长介质层;在所述介质层的表面上生长第二多晶硅层,并通过光刻和刻蚀工艺对所述第二多晶硅层进行刻蚀,保留位于所述场氧化层上方的部分所述第二多晶硅层、位于所述场氧化层表面上的部分第一多晶硅层两侧边缘的部分所述第二多晶硅层以及位于所述栅氧化层表面上的部分第一多晶硅层两侧边缘的部分所述第二多晶硅层;定义源漏区,并完成所述源漏区的离子注入。
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