[发明专利]双层多晶硅CMOS的制作方法在审
申请号: | 201510242781.X | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN106298658A | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 马万里;任春红 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 张洋,黄健 |
地址: | 100871 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种双层多晶硅CMOS的制作方法,该方法包括:制作器件的场氧化层和栅氧化层;在器件的表面上生长第一多晶硅层,并通过光刻和刻蚀工艺对所述第一多晶硅层进行刻蚀,保留位于场氧化层表面上的部分第一多晶硅层和栅氧化层表面上的部分第一多晶硅层;定义漏极区,并完成漏极离子的注入;在器件的表面上生长介质层;在介质层的表面上生长第二多晶硅层,并通过光刻和刻蚀工艺对第二多晶硅层进行刻蚀;定义源漏区,并完成源漏区的离子注入。本发明提供的双层多晶硅CMOS的制作方法制作工艺简单,且成本较低。 | ||
搜索关键词: | 双层 多晶 cmos 制作方法 | ||
【主权项】:
一种双层多晶硅CMOS的制作方法,其特征在于,包括:制作器件的场氧化层和栅氧化层,所述场氧化层的表面高度高于阱区的表面高度,所述栅氧化层位于器件第一区域的表面上;在所述器件的表面上生长第一多晶硅层,并通过光刻和刻蚀工艺对所述第一多晶硅层进行刻蚀,保留位于所述场氧化层表面上的部分第一多晶硅层和所述栅氧化层表面上的部分第一多晶硅层;定义漏极区,并完成漏极离子的注入;在所述器件的表面上生长介质层;在所述介质层的表面上生长第二多晶硅层,并通过光刻和刻蚀工艺对所述第二多晶硅层进行刻蚀,保留位于所述场氧化层上方的部分所述第二多晶硅层、位于所述场氧化层表面上的部分第一多晶硅层两侧边缘的部分所述第二多晶硅层以及位于所述栅氧化层表面上的部分第一多晶硅层两侧边缘的部分所述第二多晶硅层;定义源漏区,并完成所述源漏区的离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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