[发明专利]MEMS基片的加工方法在审
| 申请号： | 201510244272.0 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106276777A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种MEMS基片的加工方法，对基片进行腐蚀前，通过在基片的侧面和背面分别形成第二掩膜层和第三掩膜层，由于第二掩膜层对基片的边缘侧面进行有效保护，可以有效避免在对基片进行腐蚀的同时将基片的边缘侧面腐蚀从而导致基片边缘出现缺角，在随后的工艺中基片不容易碎片，提高产品的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | mems 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS基片的加工方法，其特征在于，包括步骤：提供基片，所述基片包括正面、侧面和背面；在所述基片的正面形成第一掩膜层；对所述第一掩膜层进行图形化并暴露所述基片的部分正面；在所述基片的侧面形成第二掩膜层，在所述基片的背面形成第三掩膜层；对所述基片暴露的部分正面进行腐蚀。
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