[发明专利]一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法有效
| 申请号： | 201510244410.5 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104901668B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 廖淋圆;唐赛;王俊;帅智康;尹新;沈征;蒋梦轩 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/04 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置及方法。在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极，另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极；所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接，所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接。通过碳化硅双极结型晶体管基极驱动电流根据集电极电流的正比变化，很大程度上降低了基极驱动功耗，同时有效的降低了实现基极驱动电流变化的成本，而且基本消除了时间延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 双极结型 晶体管 静态 驱动 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅双极结型晶体管的静态驱动装置，其特征在于，所述装置包括：在碳化硅双极结型晶体管的基极与驱动电源之间串联一个可变电阻单元，所述可变电阻单元包括高速硅基场控器件和一个限流电阻，所述限流电阻一端连接所述高速硅基场控器件的源极，另一端连接所述高速硅基场控器件的漏极；所述碳化硅双极结型晶体管的集电极与电流检测器件连接，所述电流检测器件与所述高速硅基场控器件的栅极和源极连接；所述碳化硅双极结型晶体管的发射极接地。
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