[发明专利]一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510244660.9 申请日: 2015-05-14
公开(公告)号: CN104891988B 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 袁昌来;周星星;刘笑;冯琴;周昌荣;杨涛;许积文;黎清宁;陈国华 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司45112 代理人: 罗玉荣
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明涉及一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法,其中0.03≤x≤0.3,M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种,(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为 Mg、Zn、Ni中的一种,(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种。方法采用高温高压烧结炉制备Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷,基于电滞回线计算的储能密度可达0.8~1.6 J/cm3。
搜索关键词: 一种 bi sub 0.5 na 0.4 li 0.1 ti 无铅反铁电高储能 密度 陶瓷 及其
【主权项】:
一种Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3无铅反铁电高储能密度陶瓷,其特征是:其组成通式为Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3,其中:0.03≤x≤0.3,M为(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的一种,(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Me为 Mg、Zn、Ni中的一种,(Me1/3Nb2/3)、(Mb1/2Nb1/2)、(Me1/3Ta2/3)、(Mb1/2Ta1/2)中的Mb为Al、Co、Cr中的一种;所述无铅反铁电高储能密度陶瓷由下述方法制得:1)采用传统粉体合成技术合成Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3粉体:选择纯度≥99.8%的Bi2O3、Na2CO3、Li2CO3、MOy为相应的金属氧化物、TiO2粉末为原料,按照Bi2O3:Na2CO3:Li2CO3:MOy:TiO2 = 0.25:0.2:0.05:x:(1‑x)的摩尔比例混合,然后在高能球磨机中充分混合,取出烘干;2)研磨,在900~1000℃下保温2~4小时合成Bi0.5Na0.4Li0.1MxTi1‑xO3粉体;3)将步骤2)中所得合成物粉末进行球磨,获得分散均匀粉体,然后装入高温高压烧结炉的石墨磨具中,加压至50~80MPa,然后把高温高压烧结炉快速升温至800~900℃并保温3~5分钟即成。
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