[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510245409.4 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN105280499B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 叶明熙;吕信谚;陈昭成;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开一种形成半导体器件的方法。该方法包括，在第一温度时将栅极结构的伪氧化物层暴露于包括NH3和含氟化合物的蒸汽混合物中，其中伪氧化物层在衬底上方形成并且被包括与伪氧化物层的材料不同的材料的栅极间隔件包围。该方法进一步包括，在第二温度时用包含去离子水(DIW)的溶液冲洗衬底。该方法可进一步包括，在室中烘烤衬底，衬底被加热到比第一温度和第二温度高的第三温度。所述暴露、冲洗和烘烤步骤去除伪氧化物层，由此在栅极间隔件中形成开口。该方法可进一步包括在所述开口中形成具有高k栅极介电层和金属栅电极的栅极堆叠件。本发明还涉及一种半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物层 衬底 半导体器件 栅极间隔 烘烤 冲洗 开口 含氟化合物 金属栅电极 栅极介电层 蒸汽混合物 去离子水 栅极堆叠 栅极结构 暴露 去除 加热 制造 包围 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括如下步骤：在第一温度时将栅极结构的伪氧化物层暴露于包括NH3和含氟化合物的蒸汽混合物中以将所述伪氧化物层转化成反应产物，所述伪氧化物层在衬底上方形成并且被包括与所述伪氧化物层的材料不同的材料的栅极间隔件包围；在第二温度时用包含去离子水(DIW)的溶液冲洗所述衬底，其中，在所述冲洗之后，所述反应产物的至少部分保留；以及在所述冲洗之后，在室中烘烤所述衬底，其中，所述烘烤去除所述反应产物的剩余部分以在所述栅极间隔件之间形成开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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