[发明专利]鳍式场效应晶体管（FinFET）器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201510245425.3 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN106206580A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张哲豪;程潼文;陈建颖;张哲诚;张永融 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和在衬底之上延伸的鳍结构。FinFET结构包括形成在鳍结构上的外延结构，并且外延结构具有第一高度。FinFET结构也包括形成为邻近外延结构的鳍侧壁间隔件。鳍侧壁间隔件具有第二高度，并且第一高度大于第二高度，并且鳍侧壁间隔件配置为控制外延结构的体积和第一高度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：衬底；鳍结构，在所述衬底之上延伸；外延结构，形成在所述鳍结构上，其中，所述外延结构具有第一高度；鳍侧壁间隔件，形成为邻近所述外延结构，其中，所述鳍侧壁间隔件具有第二高度，并且所述第一高度大于所述第二高度，并且其中，所述鳍侧壁间隔件配置为控制所述外延结构的体积和所述第一高度。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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