[发明专利]鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201510245445.0 申请日: 2015-05-14
公开(公告)号: CN106206727B 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 张哲豪;程潼文;陈建颖;张哲诚;张永融 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和形成在衬底上的隔离结构。FinFET结构也包括在衬底之上延伸的鳍结构,并且鳍结构嵌入在隔离结构中。FinFET结构还包括形成在鳍结构上的外延结构,外延结构具有五边形形状,并且外延结构和鳍结构之间的界面低于隔离结构的顶面。
搜索关键词: 场效应 晶体管 finfet 器件 及其 形成 方法
【主权项】:
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构,包括:衬底;隔离结构,形成在所述衬底上;鳍结构,在所述衬底之上延伸,其中,所述鳍结构嵌入在所述隔离结构中;以及外延结构,形成在所述鳍结构上,其中,所述外延结构具有五边形形状,并且其中,所述外延结构和所述鳍结构之间的界面低于所述隔离结构的顶面。
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