[发明专利]鳍式场效应晶体管(FinFET)器件及其形成方法有效
申请号: | 201510245445.0 | 申请日: | 2015-05-14 |
公开(公告)号: | CN106206727B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 张哲豪;程潼文;陈建颖;张哲诚;张永融 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构以及形成FinFET器件结构的方法。FinFET结构包括衬底和形成在衬底上的隔离结构。FinFET结构也包括在衬底之上延伸的鳍结构,并且鳍结构嵌入在隔离结构中。FinFET结构还包括形成在鳍结构上的外延结构,外延结构具有五边形形状,并且外延结构和鳍结构之间的界面低于隔离结构的顶面。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构,包括:衬底;隔离结构,形成在所述衬底上;鳍结构,在所述衬底之上延伸,其中,所述鳍结构嵌入在所述隔离结构中;以及外延结构,形成在所述鳍结构上,其中,所述外延结构具有五边形形状,并且其中,所述外延结构和所述鳍结构之间的界面低于所述隔离结构的顶面。
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