[发明专利]一种半导体器件和电子装置有效
申请号: | 201510245546.8 | 申请日: | 2015-05-14 |
公开(公告)号: | CN106298763B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 钟雷;李宏伟;陈光;王京京;程惠娟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件和电子装置,涉及半导体技术领域。所述半导体器件包括:P型半导体衬底;一可控硅整流器,形成于所述P型半导体衬底上,所述可控硅整流器为环形;一二极管串,位于所述环形的可控硅整流器以内区域的所述P型半导体衬底上,与所述可控硅整流器彼此间隔,该二极管串包含若干个环形的二极管,其中位于外侧的环形的二极管包围其内侧的环形的二极管并互相间隔,且所述环形的二极管从外到内宽度逐渐减小。本发明的半导体器件为一种改进了的环形二极管辅助激发SCR器件,其具有高的触发电压以及相对较小的衬底面积消耗,因此该半导体器件可实现优异的ESD保护性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:P型半导体衬底;一可控硅整流器,形成于所述P型半导体衬底上,所述可控硅整流器为环形;一二极管串,位于所述环形的可控硅整流器以内区域的所述P型半导体衬底上,与所述可控硅整流器彼此间隔,该二极管串包含若干个环形的二极管,其中位于外侧的环形的二极管包围其内侧的环形的二极管并互相间隔,且所述环形的二极管从外到内宽度逐渐减小,每个所述环形的二极管至少包括:位于所述P型半导体衬底内的环形的第二N阱;位于所述第二N阱内的由内到外或由外到内依次排布的环形的第三N+注入区、环形的第四P+注入区和环形的第四N+注入区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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