[发明专利]基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201510245793.8 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104992972B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 洪文婷;韩伟华;吕奇峰;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/335;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管，包括一SOI衬底；一源区、一漏区和多根硅纳米线，该多根硅纳米线位于SOI衬底的顶层硅上，交替连接该源区和漏区并形成叉指结构；多根III‑V族纳米线桥接在多根硅纳米线的侧壁硅晶面上；一SiO2缓冲层制作于该源区、漏区与多根硅纳米线的表面；一绝缘介质层制作于该多根III‑V族纳米线和该SiO2缓冲层的表面，并完全包裹住该多根III‑V族纳米线；一源电极制作于该源区的上面；一漏电极制作于该漏区的上面；以及一栅电极制作于该多根硅纳米线和多根III‑V族纳米线上，包裹住该多根硅纳米线和多根III‑V族纳米线。本发明可以提高III‑V族纳米线的成核率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 衬底 横向 纳米 线叉指 结构 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管，包括：一SOI衬底，其顶层硅上开有一凹槽；一源区、一漏区和多根硅纳米线，该多根硅纳米线位于SOI衬底的顶层硅上的凹槽内，交替连接该源区和漏区并形成叉指结构，该源区、漏区和多根硅纳米线形成在SOI衬底上；多根III‑V族纳米线，该多根III‑V族纳米线桥接在多根硅纳米线的侧壁硅晶面上；一SiO2缓冲层，该SiO2缓冲层制作于该源区、漏区与多根硅纳米线的表面；一绝缘介质层，该绝缘介质层制作于该多根III‑V族纳米线和该SiO2缓冲层的表面，并完全包裹住该多根III‑V族纳米线；一源电极，该源电极制作于该源区的上面；一漏电极，该漏电极制作于该漏区的上面；以及一栅电极，该栅电极制作于该多根硅纳米线和多根III‑V族纳米线上，包裹住该多根硅纳米线和多根III‑V族纳米线。
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