[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201510245836.2 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN105097614A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·普利瓦西尔 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶片的加工方法，该晶片的加工方法即使实施边缘修剪加工，也能够降低引起器件不良的可能。一种晶片的加工方法，该晶片在表面上具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕该器件区域的外周剩余区域，在外周缘部上具有从表面至背面的圆弧状的倒角部，其特征在于，该晶片的加工方法具备：片材粘贴步骤，经由配设在所述外周剩余区域的粘合剂将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材粘贴到晶片的表面上；以及去除步骤，在实施了所述片材粘贴步骤后，从晶片的表面使切削刀具以规定的深度切入所述倒角部并且沿外周缘切削所述晶片来去除所述倒角部的一部分，并且至少使与所述器件区域相邻的一部分的所述粘合剂残存。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片的加工方法，该晶片在表面上具有形成有多个器件的器件区域、以及围绕所述器件区域的外周剩余区域，在外周缘部上具有从表面至背面的圆弧状的倒角部，其特征在于，该晶片的加工方法具备：片材粘贴步骤，经由配设在所述外周剩余区域的粘合剂将相对于晶片具有密合性以及粘力的片材粘贴到晶片的表面上；以及去除步骤，在实施了所述片材粘贴步骤后，从晶片的表面使切削刀具以规定的深度切入所述倒角部并且沿外周缘切削所述晶片来去除所述倒角部的一部分，并且至少使与所述器件区域相邻的一部分的所述粘合剂残存。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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