[发明专利]碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510246215.6 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN104979402B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 邱晨光;张盼盼;张志勇;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 陈美章 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法，该方法将碳纳米管平行阵列材料自组装在三维鳍状绝缘衬底表面，有效增加了单位器件宽度上碳纳米管的数目，从而显著增大了碳纳米管晶体管器件的驱动电流。与常规平面碳纳米管器件相比，碳纳米管三维鳍状场效应晶体管在驱动能力，性能均一性，以及集成度方面有显著优势。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管 鳍状场效应晶体管 三维 制备 碳纳米管晶体管 碳纳米管器件 性能均一性 常规平面 衬底表面 单位器件 平行阵列 驱动电流 驱动能力 集成度 自组装 鳍状 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管三维鳍状场效应晶体管，包括：绝缘鳍状衬底、碳纳米管半导体层、栅结构、源电极和漏电极，其中：所述绝缘鳍状衬底通过在绝缘衬底上刻蚀出绝缘鳍状结构制备得到；所述碳纳米管半导体层位于绝缘鳍状衬底之外层；所述栅结构位于碳纳米管半导体层之上且位于源电极和漏电极之间，所述栅结构包括栅电极、栅介质层和侧墙，所述栅介质层位于碳纳米管半导体层和栅电极之间，所述侧墙位于栅介质层、栅电极的两侧；所述源电极和漏电极分别位于碳纳米管半导体层两端之上，在源电极与碳纳米管半导体层之间和漏电极与碳纳米管半导体层之间分别具有浸润界面层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510246215.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
