[发明专利]一种晶体管

摘要

本发明涉及一种晶体管，在下层为N+型低电阻率层、上层为N-型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型发射区，发射区上面连接着N+型掺杂多晶硅，发射区周围有P型基区，基区的侧下面连接有P+型槽型栅区，其特点是：栅区的槽深大于0.5μm；栅区的深度大于3.5μm；相邻栅区的槽的距离小于50μm；发射区接触孔的宽度大于1μm；栅极金属是铝。本发明的优点是：具有更高的最大工作温度，能够在更酷热的环境中工作。

主权项

一种晶体管，在下层为N+型低电阻率层、上层为N‑型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个N+型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接着N+型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个发射区的周围有P型的基区，基区的侧下面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的P+型的槽形栅区，槽形栅区中的每条槽的底面和侧面都覆盖着绝缘层，棚区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和棚区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述P+型槽型栅区的槽的深度大于0.5μm；所述P+型槽形栅区的深度大于3.5μm；所述相邻P+型槽形栅区的槽的距离小于50μm；所述发射区接触孔的宽度大于1μm；所述栅极金属层的金属是铝。