[发明专利]一种纵向DMOS器件在审
| 申请号： | 201510246431.0 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104900704A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 崔永明;张干;王建全;王作义;彭彪 | 申请（专利权）人： | 四川广义微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 罗言刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市经济技术开发区内（*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种纵向DMOS芯片，包括纵向DMOS器件，所述纵向DMOS器件包括A型漏区，位于A型漏区上方的B型漂移区，所述漂移区内有纵向栅极，所述纵向栅极侧壁和底部被纵向栅极绝缘层包围；所述纵向栅极绝缘层外侧设置有B型体区，所述B型体区远离纵向栅极绝缘层的一侧设置有A型源区，所述B型体区深度浅于纵向栅极深度，体区上方设置有横向栅极绝缘层，所述横向栅极绝缘层上方设置有横向栅极；所述漂移区掺杂浓度低于体区，所述A型、B型为载流子是空穴或电子的导电类型。本发明显著提高了栅源之间的器件耐压能力，同时提高了器件导通时的电流能力，导电沟道包括横向和纵向两个导电方向，进一步提高了器件的导通击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 dmos 器件 | ||
【主权项】：
一种纵向DMOS芯片，包括纵向DMOS器件，所述纵向DMOS器件包括A型漏区，位于A型漏区上方的B型漂移区，所述漂移区内有纵向栅极，所述纵向栅极侧壁和底部被纵向栅极绝缘层包围；其特征在于，所述纵向栅极绝缘层外侧设置有B型体区，所述B型体区远离纵向栅极绝缘层的一侧设置有A型源区，所述B型体区深度浅于纵向栅极深度，体区上方设置有横向栅极绝缘层，所述横向栅极绝缘层上方设置有横向栅极；所述漂移区掺杂浓度低于体区，所述A型、B型为载流子是空穴或电子的导电类型。
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