[发明专利]一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列及其制备方法及应用

摘要

本发明公开一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列及其制备方法及应用，包括石墨烯纳米片衬底以及石墨烯纳米片衬底上无催化生长的分级GaN纳米阵列。所述石墨烯纳米片衬底上的分级GaN纳米阵列为石墨烯纳米片衬底上无催化CVD生长的分级GaN纳米阵列。本发明还公开了上述分级GaN纳米阵列的制备方法及应用。与现有技术相比，本发明具有无需沉积金属催化剂和沉积其他形核层的优点，且制备的GaN纳米阵列可以转移至至柔性衬底以及高导热衬底上，有利于制备高效、柔性、高性能GaN基器件。

主权项

一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列，其特征在于：包括石墨烯纳米片衬底以及石墨烯纳米片衬底上无催化无损伤CVD生长的分级GaN纳米阵列，所述的石墨烯纳米片旋涂于Si或蓝宝石衬底上；所述的石墨烯纳米片本身具有大量的富余悬挂键和棱边台阶，为CVD生长提供反应形核点，增加纳米材料在石墨烯衬底上的形核几率，从而形成纳米材料的选区无催化生长模式，最终形成分级纳米阵列。