[发明专利]沟槽型VDMOS器件的制备方法在审
| 申请号： | 201510246578.X | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN106298891A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张洋,黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型VDMOS器件的制备方法，该方法包括：在半导体硅基底上形成沟槽；通过氧化层窗口向沟槽中注入N型离子，形成沟槽积累区；去除氧化层，在沟槽中依次形成栅氧化层和多晶硅；向硅基底中注入P型离子，形成沟槽型VDMOS器件的体区和积累层，其中P型离子的注入剂量大于N型离子的注入剂量，体区的深度小于沟槽积累区的深度，积累层是沟槽积累区与体区进行离子抵消后保留的部分沟槽积累区；再形成沟槽型VDMOS器件的源区、介质层和金属层。从而，降低了沟槽型VDMOS器件的导通电阻，进一步的降低了沟槽型VDMOS器件的导通损耗，使得沟槽型VDMOS器件的能量消耗降低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 vdmos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型VDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：在半导体硅基底的表面上形成氧化层；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成氧化层窗口，通过所述氧化层窗口对所述硅基底进行刻蚀，形成沟槽；通过所述氧化层窗口向所述沟槽中注入N型离子，形成沟槽积累区；去除所述氧化层，在所述沟槽的表面上形成栅氧化层，在所述沟槽中沉积多晶硅；向所述硅基底中注入P型离子，形成所述沟槽型VDMOS器件的体区和积累层，其中所述P型离子的注入剂量大于所述N型离子的注入剂量，所述体区的深度小于所述沟槽积累区的深度，所述积累层是所述沟槽积累区与所述体区进行离子抵消后保留的部分沟槽积累区；对所述硅基底进行光刻形成所述沟槽型VDMOS器件的源区，在所述半导体硅基底的表面上形成介质层和金属层。
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