[发明专利]高电压电平转换电路有效
| 申请号： | 201510246614.2 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN106301349B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 權彞振;倪昊;程昱;郁红 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/08 | 分类号： | H03K19/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电压电平转换电路，该高电压电压转换电路包括：第一HVPMOS 1、第二HVPMOS 2、放电晶体管30和Valance晶体管40；其中，所述放电晶体管30由串接的第一本征高压N沟道金属氧化物晶体管HVNMOS 3和第一低压N沟道金属氧化物晶体管LVNMOS 5组成；所述Valance晶体管40由串接第二本征HVNMOS 4及第二LVNMOS 6组成。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
1.一种高电压电平转换电路，包括：第一高压P沟道金属氧化物晶体管HVPMOS(1)、第二HVPMOS(2)、放电晶体管(30)和VALANCE晶体管(40)；其中，所述放电晶体管(30)由串接的第一本征高压N沟道金属氧化物晶体管HVNMOS(3)和第一低压N沟道金属氧化物晶体管LVNMOS(5)组成；所述VALANCE晶体管(40)由串接第二本征HVNMOS(4)及第二LVNMOS(6)组成；其中,所述第一本征HVNMOS(3)、所述第二本征HVNMOS(4)、所述第一LVNMOS(5)和所述第二LVNMOS(6)都是低压晶体管；当输入端为0V，VHH偏压由所述第二HVPMOS(2)传输到输出端，其中，所述第一HVPMOS(1)关断，所述第一本征HVNMOS(3)和所述第一HVNMOS(5)的node处的信号为0V，所述第二本征HVNMOS(4)及所述第二LVNMOS(6)关闭；在输入端为VDD时，所述第二HVPMOS(2)关闭，所述第一HVPMOS(1)开启，node处的信号电压为VHH，所述第二本征HVNMOS(4)及所述第二LVNMOS(6)开启，输出端的电压为0V。
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