[发明专利]具有补偿结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201510246933.3 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN105895692B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | A·威尔梅洛斯;F·希尔勒;B·费舍尔;J·韦耶斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;张昊<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有补偿结构的半导体器件，包括：半导体本体，包括晶体管单元和位于漏极层和晶体管单元之间的漂移区。漂移区包括补偿结构。在耗尽电压之上，第一输出电荷梯度偏离第二输出电荷梯度小于5％，通过将漏极源极电压从耗尽电压增加至最大漏极源极电压而获取第一输出电荷梯度，通过将漏极源极电压从所述最大漏极源极电压减小至耗尽电压而获取第二输出电荷梯度。在耗尽电压处，第一输出电荷梯度呈现最大曲率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 补偿 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n半导体本体，包括晶体管单元和位于漏极层和所述晶体管单元之间的漂移区，所述漂移区包括补偿结构；其中所述补偿结构包括第一导电类型的第一区和相反的第二导电类型的第二区，所述第一区和所述第二区沿与垂直方向正交的水平方向交替布置，所述垂直方向由所述晶体管单元中的一个单元与所述漏极层之间的直接连接线限定，其中/n所述晶体管单元被布置在所述半导体本体的有源区域中并且所述半导体本体的侧向表面和所述有源区域之间的边缘区域缺乏晶体管单元，并且其中所述边缘区域包括以下中的至少一个：固有部分；绝缘沟槽；或重叠的第一区和第二区的对；/n其中所述半导体器件包括以下项中的至少两项：/n(1)所述第一区的垂直掺杂剂分布，包括局部最小值之间的局部最大值，并且所述局部最大值超过邻近局部最小值不到20％；/n(2)所述半导体本体中的不可耗尽延伸区，位于栅极构造的至少一部分的垂直突起中，其中所述不可耗尽延伸区是所述晶体管单元的本体区的导电类型并且被电连接至所述本体区中的一个区，并且其中所述栅极构造与所述半导体本体由层间介电结构分离，所述层间介电结构邻接所述半导体本体的第一表面；以及/n(3)所述边缘区域中的低充电边缘部分，其所具有的掺杂浓度低于所述边缘区域中除所述低充电边缘部分之外的部分的掺杂浓度；/n在耗尽电压之上，第一输出电荷梯度偏离第二输出电荷梯度小于5％，通过将漏极源极电压从所述耗尽电压增加至最大漏极源极电压而获取所述第一输出电荷梯度，通过将所述漏极源极电压从所述最大漏极源极电压减小至所述耗尽电压而获取所述第二输出电荷梯度，以及/n在所述耗尽电压处，所述第一输出电荷梯度呈现最大曲率。/n
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