[发明专利]一种单晶硅片无掩膜反应离子蚀刻绒面制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅片无掩膜反应离子蚀刻绒面制备方法，所述制备方法采用的工艺气体包括CF4、O2和SF6的混合气体；具体步骤为所述对单晶硅片的蚀刻工艺在反应腔室完成，首先将需要蚀刻单晶硅片安放在反应腔室；然后将CF4、O2和SF6按照蚀刻要求的比例混合后，按照蚀刻要求的速度和压力充入反应腔室，同时，通过反映腔室内的射频电源ARF将充入反应腔室的CF4、O2和SF6电离成等离子体,并通过反映腔室内的射频电源BRF对等离子体进行加速；最后通过等离子体蚀刻单晶硅片。本发明优点在于本发明所用混合气体配比合理，生产制备效率高，提高了太阳能电池的光电转换效率，工艺简单。

主权项

一种单晶硅片无掩膜反应离子蚀刻绒面制备方法，其特征在于：所述一种单晶硅绒面无掩膜反应离子蚀刻绒面制备方法采用的工艺气体包括CF4、O2和SF6的混合气体；所述一种单晶硅片无掩膜反应离子蚀刻绒面制备方法的具体步骤为：所述对单晶硅片的蚀刻工艺在反应腔室完成，首先将需要蚀刻单晶硅片安放在反应腔室；然后将CF4、O2和SF6按照蚀刻要求的比例混合后，按照蚀刻要求的速度和压力充入反应腔室，同时，通过反映腔室内的射频电源ARF将充入反应腔室的CF4、O2和SF6电离成等离子体,并通过反映腔室内的射频电源BRF对等离子体进行加速；最后通过等离子体蚀刻单晶硅片；所述CF4和O2的混合气体的组份比例是：CF4、O2和SF6的组份比为12:1:4‑1:3:30；所述反应腔室的压力为1‑20Pa；所述射频电源ARF功率为400‑600W，射频频率为13.56MHz；射频电源BRF功率为40‑300W，射频频率为1‑100MHz。