[发明专利]一种高温低压的硅片扩散方法

摘要

本发明公开了一种高温低压的硅片扩散方法，将制绒后的硅片放入扩散炉中；扩散炉中的压强保持在0.001~0.5大气压条件下依次进行第一沉积，第一推进，第二沉积，第二推进，第三沉积，第三推进，得到均匀性好的含PN结硅片。采用本发明，可提高硅片间方阻的稳定性和片内方阻均匀性，降低生产成本，加快生产效率，同时提高电池的光电转换效率。

主权项

一种高温低压的硅片扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将制绒后的硅片放入扩散炉中；（2）抽真空使扩散炉中的压强保持在0.001~0.5大气压；（3）升温至800~850℃，恒温稳定1~3min；（4）在POCl₃、N₂和O₂混合气体的氛围中，将硅片在沉积温度800~850℃的条件下进行第一沉积，沉积4~6min；（5）在N₂和O₂混合气体的氛围中，升温至810~860℃，将第一沉积后的硅片进行第一推进，推进3~5min；（6）在POCl₃、N₂和O₂混合气体的氛围中，将第一推进后的硅片在沉积温度810~860℃的条件下进行第二沉积，沉积3~5min；（7）在N₂和O₂混合气体的氛围中，升温至820~870℃，将第二沉积后的硅片进行第二推进，推进2~4min；（8）在POCl₃、N₂和O₂混合气体的氛围中，将第二推进后的硅片在沉积温度820~870℃的条件下进行第三沉积，沉积2~4min；（9）在N₂和O₂混合气体的氛围中，升温至830~880℃，将第三沉积后的硅片进行第三推进，推进1~3min；（10）使炉内温度降至800~850℃，出炉，得到含有PN结的硅片。