[发明专利]一种改善不同晶片之间有源区关键尺寸差异的方法

摘要

本发明公开了一种改善不同晶片之间有源区关键尺寸差异的方法，通过湿法刻蚀工艺去除晶片沟槽侧壁的自然氧化层，再对晶片进行氧化工艺，使晶片沟槽侧壁重新生成一氧化层，通过设定重复刻蚀和氧化步骤的次数处理关键尺寸差值不同的晶片，可使不同晶片之间有源区关键尺寸保持一致，从而使不同晶片之间有源区关键尺寸的差异得以有效改善，方法简单、容易实施，并可与现有的CMOS平面工艺相兼容。

主权项

一种改善不同晶片之间有源区关键尺寸差异的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供经光刻、干刻及光阻去除步骤后有源区图形通过沟槽定义好的若干晶片，对各所述晶片的有源区关键尺寸进行量测，得到不同晶片有源区关键尺寸的初始值；步骤S02：将得到的不同晶片有源区关键尺寸初始值与一目标值进行比较，得到两者之间的差值，其中，所述目标值设定为小于各初始值中的最小值；步骤S03：根据所述差值建立针对不同晶片的处理程式，然后，逐一对各所述晶片进行处理：先通过湿法刻蚀工艺去除晶片沟槽侧壁的自然氧化层，再对晶片进行氧化工艺，使晶片沟槽侧壁重新生成一氧化层；步骤S04：根据所述处理程式，对每个所述晶片重复步骤S03的处理过程，直至各所述晶片有源区关键尺寸的处理终值与所述目标值相符合；其中，利用一整合有光学特征尺寸量测单元的单片清洗机台，通过光学特征尺寸量测单元量测各所述晶片有源区关键尺寸，得到所述初始值，通过将所述初始值与单片清洗机台的自动反馈系统中预先设定的目标值进行比较，得到两者之间的差值，并根据该差值，通过所述自动反馈系统给出相应的湿法刻蚀和氧化工艺处理程式来处理晶片。