[发明专利]一种高抗静电能力的LED外延结构在审
| 申请号： | 201510249763.4 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106299067A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 钱凯;杜小青;曹强;徐晶;吴梅梅 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高抗静电能力的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明LED外延结构从下至上依次包括蓝宝石衬底、Buffer缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述U型GaN层中掺杂Si元素，Si元素的掺杂浓度为1x1017cm3‑8x1017cm3。同现有技术相比，本发明能够提高芯片的抗静电能力，有效提高LED的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗静电 能力 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种高抗静电能力的LED外延结构，它从下至上依次包括蓝宝石衬底（1）、Buffer缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7），其特征在于：所述U型GaN层（3）中掺杂Si元素，Si元素的掺杂浓度为1x1017 cm3‑8x1017 cm3。
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