[发明专利]闪烁体阵列结构及应用该闪烁体阵列结构的中子探测器有效
| 申请号： | 201510249808.8 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104820233B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 庄凯;曾凡剑;秦秀波;薛玉雄;马亚莉;安恒;杨生胜;魏存峰;魏龙;李毅军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所;兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | G01T3/06 | 分类号： | G01T3/06 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 姜燕;王卫忠 |
| 地址： | 100049 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪烁体阵列结构及应用该闪烁体阵列结构的中子探测器，该闪烁体阵列结构包括多层闪烁体层，所述多层闪烁体层相互堆叠形成所述闪烁体阵列结构，其中所述多层闪烁体层中至少包括两层厚度不同的闪烁体层。本发明的闪烁体阵列由多层闪烁体层堆叠形成，并且其中具有厚度互不相同的闪烁体层，如此可以适于探测不同中子能谱，有效地增加中子能谱的探测范围。 | ||
| 搜索关键词： | 闪烁 阵列 结构 应用 中子 探测器 | ||
【主权项】：
1.闪烁体阵列结构，包括多层闪烁体层，所述多层闪烁体层相互堆叠形成所述闪烁体阵列结构，其中所述多层闪烁体层中至少包括两层厚度不同的闪烁体层；其中，所述闪烁体层的厚度沿堆叠方向递减，所述闪烁体阵列结构用于测量中子的反冲质子的径迹，以间接测量所述中子的能谱；其中，所述多层闪烁体层中包括多层第一厚度的第一闪烁体层和多层第二厚度的第二闪烁体层；所述多层第一厚度的第一闪烁体层由下至上顺序排列，所述多层第二厚度的第二闪烁体层由下至上顺序排列，并且所述多层第二厚度的第二闪烁体层堆叠于所述多层第一厚度的第一闪烁体层的上方。
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