[发明专利]一种极低功耗石英晶体振荡电路在审

专利信息
申请号: 201510249942.8 申请日: 2015-05-18
公开(公告)号: CN104836544A 公开(公告)日: 2015-08-12
发明(设计)人: 林美玉;王晓飞 申请(专利权)人: 广州市力驰微电子科技有限公司
主分类号: H03H9/19 分类号: H03H9/19;H03H9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510663 广东省广州市萝岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种极低功耗石英晶体振荡电路,包括4个P型MOS管,4个N型MOS管,1个反相器,1个延迟单元,1个运算放大器,2个电流源,两个开关,将电路的工作分为两个阶段,起振阶段电路的功耗较大,完成电路在各种复杂条件下的起振,待电路正常工作之后,电路的功耗通过控制尾电流和振荡器的振幅,减小电路功耗,可将振荡器的工作电流降低到200nA以下,维持电路的正常工作;结构简单,用于芯片制造时成本低的具有高阶补偿的基准电压源,能够分别对基准电压的高温、低温部分进行补偿,得到一个低温度系数的基准电压,有效提高基准电压源的精度。
搜索关键词: 一种 功耗 石英 晶体 振荡 电路
【主权项】:
一种极低功耗石英晶体振荡电路,包括4个P型MOS管,4个N型MOS管,1个反相器,1个延迟单元,1个运算放大器,2个电流源,两个开关,所述的2个电流源包括维持电流源(IH)和擎住电流源(IL),其特征在于,其电路连接方式为:维持电流源(IH)下端与第一开关(S1)的上端连接;擎住电流源(IL)的下端与第二开关(S2)的上端连接;第一开关(S1)的下端与第二开关(S2)的下端、第一N型MOS管(NM1)的漏极、第一N型MOS管(NM1)的栅极、第二N型MOS管(NM2)的栅极连接;第二N型MOS管(NM2)的漏极与运算放大器的反向输入端、第一P型MOS管(PM1)的漏极、第一P型MOS管(PM1)的栅极、第二P型MOS管(PM2)的栅极连接;第二P型MOS管(PM2)的漏极与运算放大器的偏置段连接;第三P型MOS管(PM3)的栅极与石英晶振的左端、第四N型MOS管(NM4)的栅极连接;第三P型MOS管(PM3)的漏极与石英晶振的右端、第四N型MOS管(NM4)的漏极、延迟单元左端连接;第四N型MOS管(NM4)的源级与运算放大器的正向输入端、第三N型MOS管(NM3)的漏级连接;第三N型MOS管(NM3)的栅极与运算放大器的输出端、第四P型MOS管(PM4)的漏级连接;第四P型MOS管(PM4)的栅极与延迟单元的右端、反相器的输入端、第一开关(S1)的控制端连接;反相器的输出端与第二开关(S2)的控制端连接;维持电流源(IH)的上端、擎住电流源(IL)的上端、第一P型MOS管(PM1)的源级、第二P型MOS管(PM2)的源级、第三P型MOS管(PM3)的源级、第四P型MOS管(PM4)的源级与电源(VDD)连接;第一N型MOS管(NM1)的源级、第二N型MOS管(NM2)的源级、第三N型MOS管(NM3)的源级与地(GND)连接。
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