[发明专利]一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明提出了一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法阳能电池及其制备方法，该制备方法包括在电池本体的上表面形成选择性发射极和减反层，其中选择性发射极采用掩膜工艺，掩膜覆盖的区域形成重掺杂，腐蚀掩膜未覆盖区域形成轻掺杂，下表面形成具有预设镂空图案的背面钝化层，预设镂空图案的背面钝化层包括：第一层钝化层和第二层钝化层，并采用激光或化学腐蚀形成在第一层和第二层钝化层上形成镂空图案，形成正面电极和背面电极，将印刷有正面电极和背面电极的电池片进行烧结，相比单一的选择性发射极电池和单一的背钝化电池，本申请集成了二者的优点，同时提高晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流，进而提高太阳能电池光电转化效率。

主权项

一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法阳能电池的制备方法，其特征在于采用以下顺序步骤制得：A，将p型晶硅硅片进行清洗，制绒，形成织构化陷光表面；B，在制绒后的硅片上采用POCl3(三氯氧磷)为液态氮源，进行一次磷的均匀重掺杂，得到p‑n+结；C，对步骤B制得的晶硅硅片正面电极区域印刷一层高分子耐腐蚀材料作为腐蚀掩膜，阻止掩膜覆盖的n+区域被化学腐蚀液腐蚀，印刷图形为点状阵列或者线状阵列；D，利用化学腐蚀溶液对步骤C制得的晶硅硅片进行二次腐蚀，将受光区（即非印刷区）变为轻掺杂，腐蚀掩膜覆盖区域仍为重掺杂；E，使用化学试剂除去晶硅硅片表面的腐蚀掩膜并清洗干净，得到具有选择性发射极的上表面；F，对步骤E制得的晶硅硅片进行常规刻蚀，除去PSG（磷硅玻璃）和背结，并用化学试剂对背面进行抛光；G，对步骤F制得的晶硅硅片的背面沉积第一层钝化膜；H，在步骤G制得的硅片第一层钝化膜上沉积第二层钝化膜，第二层钝化膜与第一层钝化膜形成叠层钝化膜；I，在步骤H制得的晶硅硅片的上表面沉积氮化硅减反膜；G，在背面钝化膜上进行刻槽或打孔，选择性除去部分钝化膜；K，在背面钝化膜上印刷背面电极；L，在背面印刷铝浆，使铝浆填满所刻凹槽或微孔，并覆盖整个背表面，烘干；M，在正面印刷银栅线电极，印刷图形和位置与步骤C中腐蚀掩膜的图形和位置完全吻合；N， 对印刷后的硅片进行烧结，使正面银栅线电极和背面银电极均与硅形成良好的欧姆接触，使背面铝浆和硅形成良好的欧姆接触，以便搜集和导出电流。