[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板(W)上的膜实施等离子体处理。获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布。接着，根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低。然后，向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理。

主权项

1.一种等离子体处理方法，在该等离子体处理方法中，向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板上的膜实施等离子体处理，其中，该等离子体处理方法包括以下工序：获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布；根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述处理气体的流速而增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减小所述处理气体的流速而减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低；以及向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理，其中，调整所述处理气体的流速的工序是以使所述等离子体产生区域内的所述处理气体的流速均匀的方式进行调整的工序，其中，所述等离子体产生区域是所述预定的等离子体处理区域的最上部附近的区域，其中，所述基板载置在设于处理容器内的旋转台上，所述预定的等离子体处理区域设于沿着所述旋转台的旋转方向的预定区域，并且具有在比所述旋转台靠上方的位置对所述预定的等离子体处理区域进行划分的顶面和侧面，在所述基板利用所述旋转台的连续旋转而每次通过所述预定的等离子体处理区域时，进行所述等离子体处理。