[发明专利]含硅膜的等离子体增强周期化学气相沉积

摘要

本发明公开了由含有Si-H₃的烷氨基硅烷，优选式(R¹R²N)SiH₃(其中R¹和R²独立地选自C₂-C₁₀)以及氮源或氧源(优选氨或氧)进行等离子体增强周期化学气相沉积氮化硅、碳氮化硅、氧氮化硅、羧基氮化硅和掺碳的氧化硅的方法，使得膜与由热化学气相沉积获得的膜相比具有改进的特性，例如蚀刻速率、氢浓度和应力。

主权项

一种将氮化硅、碳氮化硅沉积到半导体衬底上的原子层沉积(ALD)方法，包括：a. 在远距等离子体条件下在200至400℃使含氮源与加热的衬底相接触以在所述加热的衬底上吸收至少一部分含氮源，b. 清除任何未被吸收的含氮源，c. 使所述加热的衬底与具有一个或多个Si‑H₃片段的含硅源接触以与所吸收的含氮源反应，其中所述含硅源选自二异丙基氨基硅烷（DIPAS）、二叔丁基氨基硅烷（DTBAS）、二仲丁基氨基硅烷、二叔戊基氨基硅烷和它们的混合物，和d. 清除未反应的含硅源。