[发明专利]一种低温多晶硅薄膜及其制作方法、相关器件有效
| 申请号： | 201510250931.1 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104934372B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 徐文清;田宏伟;龙春平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制作方法、相关器件，主要内容包括提供一衬底基板，在所述衬底基板之上形成储热功能层，在所述储热功能层之上形成第一缓冲层，以及形成覆盖所述第一缓冲层的第一非晶硅层，对形成第一非晶硅层的衬底基板进行准分子激光退火工艺，形成低温多晶硅薄膜，其中，所述储热功能层能够与第一非晶硅层同步进入吸热状态，以及同步进入散热状态。从而，在进行准分子激光退火工艺时，位于表层的第一非晶硅层可以利用底层的储热功能层释放的能量延缓冷却时长，从而，延长了低温多晶硅的生长时长，增大了低温多晶硅的晶粒尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜 及其 制作方法 相关 器件 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板之上形成储热功能层；在所述储热功能层之上形成第一缓冲层，以及形成覆盖所述第一缓冲层的第一非晶硅层；对形成第一非晶硅层的衬底基板进行准分子激光退火工艺，形成低温多晶硅薄膜，其中，所述储热功能层能够与第一非晶硅层同步进入吸热状态，以及同步进入散热状态；所述储热功能层的材料为非晶硅，其厚度范围为：20nm～30nm；所述第一缓冲层的厚度范围为所述第一非晶硅层的厚度范围为：40nm～60nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
