[发明专利]无应力电化学抛光方法有效
申请号: | 201510251140.0 | 申请日: | 2015-05-18 |
公开(公告)号: | CN106245108B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C25F3/30 | 分类号: | C25F3/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 施浩 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及半导体加工和制造领域。本发明揭示了一种无应力电化学抛光方法,用于抛光半导体基板。该方法依次包括:预湿工序,使用抛光液沾湿基板的整个待抛光面,基板的待抛光面表层为金属膜;抛光工序,对基板进行无应力电化学抛光;干燥工序,干燥基板。本发明提供的技术方案,以传统的无应力电化学抛光方法为基础,对其进行了改进,能够使抛光结果大为改观,并消除抛光液对设备的污染以及对后续工艺的干扰,提高了半导体基板的品质。 | ||
搜索关键词: | 应力 电化学 抛光 方法 | ||
【主权项】:
一种无应力电化学抛光方法,用于抛光半导体基板,其特征在于,依次包括,预湿工序:使用抛光液沾湿所述基板的整个待抛光面,所述基板的待抛光面的表层为金属膜;抛光工序:对所述基板进行无应力电化学抛光;干燥工序:干燥所述基板。
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