[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510251397.6 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106298913B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 萧世楹;杨庆忠 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其半导体元件包括衬底、绝缘层、导体层以及至少一间隙壁。衬底具有至少二浅沟槽。导体层配置于浅沟槽之间的衬底上。绝缘层配置于衬底与导体层之间。至少一间隙壁配置于导体层的侧壁上且填满各浅沟槽。另提供一种半导体元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于包括：衬底，具有至少二浅沟槽；导体层，配置于所述浅沟槽之间的所述衬底上；绝缘层，配置于所述衬底与所述导体层之间，所述导体层延伸覆盖各浅沟槽的部分底部；至少一间隙壁，配置于所述导体层的侧壁上且填满各浅沟槽；以及第二掺杂区，配置于各浅沟槽的外侧的所述衬底中，其中通过轻掺杂漏极光掩模来定义所述浅沟槽，所述导体层作为栅极，且所述第二掺杂区作为源极/漏极区。
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