[发明专利]半导体晶体管与闪存存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201510251446.6 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106206728B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 永井享浩 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/788;H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11526;H01L27/11536;H01L27/11539;H01L27/11541;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体晶体管与闪存存储器及其制造方法。该闪存存储器，设置于基底上。闪存存储器具有半导体晶体管。此半导体晶体管具有堆叠栅极结构、淡掺杂区与间隙壁。堆叠栅极结构具有依序设置于基底上的栅介电层、第一导体层、介电层以及第二导体层。介电层周围具有开口使第一导体层电连接第二导体层。淡掺杂区设置于堆叠栅极结构旁、且位于开口下的基底中。间隙壁设置于堆叠栅极结构侧壁。利用控制开口下第一导体层的高度可调整间隙壁的宽度，以及利用介电层作为掩模层设置淡掺杂区，可增加淡掺杂区裕度，得到良好的电性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 闪存 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶体管，包括：堆叠栅极结构，设置于一基底上，包括：依序设置于该基底上的栅介电层、第一导体层、介电层与第二导体层，其中该介电层周围有开口，使该第一导体层电连接该第二导体层；淡掺杂区，分别设置于该堆叠栅极结构旁、且位于该开口下方的该基底中；以及源极/漏极区，设置于该堆叠栅极结构旁的该基底中；其中该半导体晶体管为中操作电压晶体管或高操作电压晶体管。
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