[发明专利]ZnO@PEDOT纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201510251553.9 | 申请日： | 2015-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN104829815B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 马育红;杨乐;杨万泰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;C08F292/00;C08F212/14;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | ZnO@PEDOT纳米线的制备方法涉及导电纳米线领域。本发明由PEDOT和经过不同表面处理剂处理的ZnO纳米线复合而成，具体地，本发明中ZnO@PEDOT纳米线的制备方法包括两个聚合反应过程(1)首先通过表面引发的原子转移自由基聚合方法，制备出ZnO‑PSS纳米线；(2)ZnO‑PSS与EDOT化学氧化聚合的方法制备出ZnO@PEDOT纳米线。本发明旨在提供一种成本低、可大量制备ZnO@PEDOT纳米线的方法，并且可以解决反应过程中H+影响后续反应的问题。如Al2O3和ZnO等纳米线为模板时，随着EDOT聚合的进行，模板被溶解的问题。 | ||
| 搜索关键词： | zno pedot 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
ZnO@PEDOT纳米线的制备方法，其特征在于，包括三个步骤：(1)首先在ZnO纳米线表面沉积一层硅氧烷保护层；制备硅氧烷保护层时候所用的硅烷偶联剂为二(3‑三甲氧基硅丙基)胺或二(3‑三乙氧硅丙基)胺；(2)在有硅氧烷保护层的ZnO纳米线表面，通过表面引发的ATRP聚合反应制备聚苯乙烯磺酸钠接枝层，得到ZnO‑PSS；(3)以ZnO‑PSS为模板，制备出ZnO@PEDOT纳米线：称取ZnO‑PSS和EDOT，混合后加入乙腈或Tris溶液作为溶剂得到混合溶液；ZnO‑PSS与EDOT的摩尔比例在1:1到5:1之间；称取氧化剂，氧化剂与EDOT的摩尔比例在0.4:1到2.25:1之间；氧化剂为过硫酸盐或铁(Ⅲ)盐，滴加到上述混合溶液中；在过硫酸铵为氧化剂和Tris溶液为溶剂环境中反应31h；或者在以氯化铁为氧化剂，乙腈为反应溶剂的环境下反应1.5h；制备出ZnO@PEDOT纳米线。
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