[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510252857.7 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106298914B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片；步骤S2：在所述鳍片底部的侧壁上形成无定型硅的间隙壁，以覆盖所述鳍片底部，形成台阶形鳍片；步骤S3：在所述台阶形鳍片的表面形成衬垫氧化物层，以覆盖所述台阶形鳍片的表面；步骤S4：沉积隔离材料层并平坦化，以填充所述台阶形鳍片之间的间隙并覆盖所述台阶形鳍片；步骤S5：回蚀刻所述隔离材料层，以露出部分所述台阶形鳍片至目标高度。所述台阶形鳍片底部可以增加所述鳍片底部的尺寸，从而降低所述鳍片底部穿通的可能性，同时获得更好的短沟道效应，进一步提高了器件的迁移率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片；步骤S2：在所述鳍片底部的侧壁上形成无定型硅的间隙壁，以覆盖所述鳍片底部，形成台阶形鳍片；步骤S3：在所述台阶形鳍片的表面形成衬垫氧化物层，以覆盖所述台阶形鳍片的表面；步骤S4：沉积隔离材料层并平坦化，以填充所述台阶形鳍片之间的间隙并覆盖所述台阶形鳍片。
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