[发明专利]半导体工艺中去除残余物质的方法有效
| 申请号： | 201510252880.6 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106298441B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 肖东风;贾照伟;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工和制造领域，更具体地说，涉及到一种半导体工艺中去除残余物质的方法。一种半导体工艺中去除残余物质的方法，该方法在工艺环境中实施，残余物质为留存在硅片上的TiF4，包括：清洗工艺，所述清洗工艺中由足量的乙醇作溶液溶解TiF4，以对硅片加以清洗。而为了提高工艺效率，在清洗工艺之前，对硅片进行加热工艺处理以使TiF4升华，加热工艺中控制工艺环境中的温度高于TiF4的升华温度。采用本发明提供的技术方案，能够有效的去除留存在硅片上的TiF4，避免了TiF4对后续工艺的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 去除 残余 物质 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺中去除残余物质的方法，该方法在工艺环境中实施，所述残余物质为留存在硅片上的TiF4，其特征在于，包括：清洗工艺，所述清洗工艺中由足量的乙醇作溶剂溶解所述TiF4，以对所述硅片加以清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
