[发明专利]一种利用等离子体对多层材料刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201510253429.6 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106298502B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙超;苏兴才;吴紫阳 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种利用等离子体对多层材料层进行刻蚀的方法，所述多层材料层包括交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述刻蚀方法包括：执行主刻蚀步骤，同时通入包括第一刻蚀气体和第二刻蚀气体到反应腔内对多层材料层进行刻蚀，直到刻蚀形成的通孔达到第一深度切换进入中间处理步骤；执行中间处理步骤，通入第一刻蚀气体或第二刻蚀气体之一的刻蚀气体到反应腔内对多层材料层刻蚀以修正通孔底部形貌，完成对通孔底部形貌修正后再次执行主刻蚀步骤；其中第一刻蚀气体对第一材料层和第二材料层刻蚀选择比大于5。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 多层 材料 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用等离子体对多层材料层进行刻蚀的方法，所述多层材料层包括多层交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述刻蚀方法包括：放置待刻蚀基片到反应腔，所述基片上方包括所述多层材料层，多层材料层上方包括具有刻蚀图形的掩膜层；执行主刻蚀步骤，同时通入包括第一刻蚀气体和第二刻蚀气体到反应腔内对多层材料层进行刻蚀，直到刻蚀形成的通孔达到第一深度D时切换进入中间处理步骤；执行中间处理步骤，通入第一刻蚀气体或第二刻蚀气体之一的刻蚀气体到反应腔内对多层材料层刻蚀以修正通孔底部形貌，完成对通孔底部形貌修正后再次执行主刻蚀步骤；其中第一刻蚀气体对第一材料层和第二材料层刻蚀选择比大于5，第二刻蚀气体对第二材料层和第一材料层的刻蚀选择比大于5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
