[发明专利]一种用于生长单晶硅的坩埚及其制备方法在审
| 申请号： | 201510254141.0 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106191987A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张洪齐 | 申请（专利权）人： | 罗万前 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610067 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种用于生长单晶硅的坩埚及其制备方法，由各种氮化物陶瓷埚坯和C/C增強层组成；所述的C/C增強层包覆在前述埚坯的外表面上；本各种氮化物埚坯可由化学气相沉积法、反应烧结法、气压绕烧结法制备而成。本埚坯耐熔融硅浸蚀性，寿命长且减少晶体含氧量；而紧贴在一起的C/C增強层能有效的防止脆性的陶瓷突然碎裂而漏硅的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 单晶硅 坩埚 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生长单晶硅的坩埚及其制备方法，其特征在于：坩埚由各种氮化物陶瓷埚坯和C/C增強层组成；所述的C/C增強层包覆在前述埚坯的外表面上。
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