[发明专利]等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺有效
申请号: | 201510254387.8 | 申请日: | 2015-05-18 |
公开(公告)号: | CN104822219B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
发明(设计)人: | 田香军;藤野诚治 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种等离子发生器、退火设备、镀膜结晶化设备及退火工艺。该等离子发生器包括气体室、用于向所述气体室输入气体的进气单元、用于给进入所述气体室内的气体施加电场使其电离成为等离子体的阴极和阳极、用于控制等离子发生器温度的冷却水循环单元、以及设置在所述气体室顶面的离子束出口。包含该等离子发生器的退火设备可产生等离子束,可用于对非晶硅薄膜退火,使其结晶成为多晶硅薄膜。 | ||
搜索关键词: | 等离子 发生器 退火 设备 镀膜 结晶 工艺 | ||
【主权项】:
一种等离子发生器,包括:气体室;设置在所述气体室的底面上的用于向所述气体室输入气体的进气单元;用于给进入所述气体室内的气体施加电场使其电离成为等离子体的阴极和阳极;用于控制等离子发生器温度的冷却水循环单元;以及设置在所述气体室顶面的离子束出口;其中,所述阳极设置于所述气体室内,所述阴极作为所述气体室的顶面或设置于所述气体室的顶面上。
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