[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审

专利信息
申请号: 201510254482.8 申请日: 2015-05-19
公开(公告)号: CN106298660A 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 周飞 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L21/265
代理公司: 北京市磐华律师事务所11336 代理人: 高伟,冯永贞
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有无定型硅层和硬掩膜层;步骤S2:图案化所述硬掩膜层、所述无定型硅层和所述半导体衬底,以形成鳍片;步骤S3:沉积隔离材料层,以覆盖所述鳍片,然后回蚀刻所述隔离材料层,以露出部分所述鳍片,形成目标高度的鳍片;步骤S4:选用横向扩散离子注入的方法进行沟道停止离子注入,以形成沟道穿通停止层。本发明选用所述无定型硅具有以下优点:(1)可以解决在隔离材料层回蚀刻过程中硬掩膜层SiN脱落的问题。(2)无定型硅可以作为所述硬掩膜层的缓冲层,以解决所述衬底Si晶格与SiN的失配和缺失问题。
搜索关键词: 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置
【主权项】:
一种半导体器件的制备方法,包括:步骤S1:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有无定型硅层和硬掩膜层;步骤S2:图案化所述硬掩膜层、所述无定型硅层和所述半导体衬底,以形成鳍片;步骤S3:沉积隔离材料层,以覆盖所述鳍片,然后回蚀刻所述隔离材料层,以露出部分所述鳍片,形成目标高度的鳍片;步骤S4:选用横向扩散离子注入的方法进行沟道停止离子注入,以形成沟道穿通停止层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510254482.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top