[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的各个实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种包括具有改进的可靠性的功率半导体元件的半导体器件。该半导体器件具有单元区域、和形成在该单元区域外部的外围区域。在单元区域中的n型列区域的n型杂质浓度高于在外围区域中的由外延层组成的n型列区域的n型杂质浓度。进一步地，在单元区域和外围区域中的每一个中，保持电荷平衡；并且将每个总电荷设置为，使在单元区域中的第一p型列区域的总电荷和n型列区域的总电荷分别大于在外围区域中的第三p型列区域的总电荷和由外延层组成的n型列区域的总电荷。

主权项

一种半导体器件，配备有具有单元区域和形成在所述单元区域外部的外围区域的半导体芯片，所述半导体芯片包括：(a)半导体衬底，(b)外延层，为第一导电类型，形成在所述半导体衬底的主表面之上，(c)第一列区域，为所述第一导电类型，形成在所述单元区域中的所述外延层中并且彼此隔开，(d)多个第二列区域，为第二导电类型，形成在所述单元区域中的所述外延层中并且夹设在彼此相邻的所述第一列区域之间，所述第二导电类型是与所述第一导电类型不同的导电类型，(e)第三列区域，为所述第一导电类型，形成在所述外围区域中的所述外延层中并且彼此隔开，(f)多个第四列区域，为所述第二导电类型，形成在所述外围区域中的所述外延层中并且夹设在彼此相邻的所述第三列区域之间，以及(g)元件部，形成在所述外延层的上表面之上，其中在所述单元区域中的所述第一列区域的第一导电类型的杂质浓度高于在所述外围区域中的所述第三列区域的所述第一导电类型的杂质浓度。