[发明专利]具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构

摘要

本发明公开了一种具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构，包括一半导体衬底，其上设有一N型井区和一P型井区；一第一氧化层定义区和一第二氧化层定义区设于所述N型井区内；一PMOS选择晶体管设于所述第一氧化层定义区上；一PMOS浮动栅极晶体管与所述PMOS选择晶体管串联，其中PMOS浮动栅极晶体管另包含一覆盖于第一氧化层定义区上的浮动栅极；一辅助栅极，自浮动栅极一末端凸出至第二氧化层定义区的一边，使辅助栅极与第二氧化层定义区及N型井区电容耦合。选择晶体管、浮动栅极晶体管以及辅助栅极均同样位于N型井区中。

主权项

1.一种具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构，其特征在于，包括一半导体衬底，其中设有一N型井区；一第一氧化物定义区及一第二氧化物定义区，设于所述N型井区之内；一PMOS选择晶体管设于所述第一氧化物定义区上；一PMOS浮动栅极晶体管设于所述第一氧化物定义区上并与所述PMOS选择晶体管串联，其中所述PMOS浮动栅极晶体管包括一覆盖在所述第一氧化物定义区上的一浮动栅极；一辅助栅极，自所述浮动栅极一末端延伸至所述第二氧化物定义区的一边缘并覆盖部分所述第二氧化物定义区，使所述辅助栅极与所述N型井区电容耦合；以及一N⁺掺杂区，位于所述第二氧化物定义区未被所述辅助栅极覆盖的区域，其中是通过所述N⁺掺杂区对所述N型井区提供一偏压来控制耦合至所述辅助栅极的感应电压。